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预计2019年微波射频半导体市场规模超3亿美元
文章作者:admin 上传更新:2019-07-15 17:47

市场研究公司ABI Research发布了关于大功率射频有源器件市场的研究。研究显示,随着4~18GHz氮化镓(GaN)器件的普遍应用,在微波射频功率半导体器件方面的开销将?#20013;?#22686;长。ABI Research预计,微波射频半导体市场规模有望在2019年之前超过3亿美元。点到点通信、卫星通信、各种?#29366;?#21644;新型工业/医疗应用都将从这些大功率GaN器件的应用中获益。

“当砷化镓(GaAs)器件目前成为微波射频功率领域的主流的时候,GaN器件将促进增长。”ABI研究公司市场调研总监Lance Wilson表示,“GaN器件能在更高电压和功率下工作,而这是GaAs器件所难以实现的。”

除了上述领域的应用之外,微波GaN器件终于达到了能对行波管构成严峻挑战的性能水平,这将使历史上使用后者的领域能够进行新的设计。

“微波射频功率半导体”是指输出功率超过3瓦、工作频率在4~18GHz的微波射频功率半导体器件。该研究是ABI Research?#27426;?#36319;踪射频功率工业领域主要变化的成果。

该研究涉及对六个主要领域(C波段GaAs器件、C波段GaN器件、X波段GaAs器件、X波段GaN器件、Ku波段GaAs器件、Ku波段GaN器件)以及28个应用子领域的分析。

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