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5G推升需求,GaAs射频器件2020年新一波成长动能显
文章作者:admin 上传更新:2019-07-15 17:55

根据研究院报告指出,由于?#20013;?#23556;频前端器件制造商因手机通讯器件的功能需求,逐渐以GaAs晶圆作为器件的制造材料,加上随着5G建设逐步展开,射频器件使用量较4G时代倍增,预料将带动GaAs射频器件市场于2020年起进入新一波成长期。

研究院指出,由于射频前端器件特性,包含耐高电压、耐高温与高频使用等,在4G与5G时代有高度需求,传统如HBT和CMOS的Si器件已无法满足,厂商便逐渐将目光转移至GaAs化合物半导体。而GaAs化合物半导体凭借本身电子迁移率较Si器件快速,且具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特性,因此特别适合应用于无线通讯中的高频传输领域。

由于4G时代的手机通讯频率使用范围已进展至1.8~2.7GHz,传统3G的Si射频前端器件已不够使用,加上5G通讯市场正步入高速成长期,其使用频?#25105;步?#26356;广泛(包含3~5GHz、20~30GHz),因此无论是4G或5G通?#38431;?#29992;,?#20013;?#23556;频器件都将逐渐被GaAs取代。

若以目前市场发展来看,2018年下半年受到手机销量下滑、中美贸易战影响,冲击GaAs通讯器件IDM厂营收表现,预估2019年IDM厂总营收将下滑至58.35亿美元,年减8.9%。?#27426;?#38543;着5G通讯?#20013;?#21457;展,射频前端器件使用数量将明显提升,如功率放大器(PA)使用量,由3G时代的2颗、4G的5-7颗,提升至5G时代的16颗,将带动2020年整体营收成长,预估GaAs射频前端器件总营收将达64.92亿美元,年增11.3%。

整体而言,随着各国?#20013;?#25237;入建设5G基站等基础设施,预估在2021、2022年将达到高峰,加上射频前端器件使用数量较4G时代翻倍,将可望带动IDM大厂Skyworks(思佳讯)、Qorvo(威讯)新一波营收成长动能,而台厂射频代工制造业?#36719;?#23439;捷科及环宇等,?#27493;?#38543;着IDM厂扩产而取得订单,逐渐摆脱营收衰退的阴霾。

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